BB659C02VH7912XTSA1 데이터 시트
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 PG-SC79-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 PG-SC79-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 PG-SOD323-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 PG-SC79-2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-80 공급자 장치 패키지 SCD-80 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 2.75pF @ 28V, 1MHz 커패시턴스 비율 15.3 커패시턴스 비율 조건 C1/C28 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-79, SOD-523 공급자 장치 패키지 PG-SC79-2 |
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