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BD810 데이터 시트

BD810 데이터 시트
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: BD810, BD810G, BD809G
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BD810

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

전력-최대

90W

주파수-전환

1.5MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

BD810G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

전력-최대

90W

주파수-전환

1.5MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

BD809G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.1V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 4A, 2V

전력-최대

90W

주파수-전환

1.5MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB