BSC200P03LSGAUMA1 데이터 시트
BSC200P03LSGAUMA1 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 494.97 KB
Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
BSC200P03LSGAUMA1
|
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 48.5nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2430pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-1 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
