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BY268TAP 데이터 시트

BY268TAP 데이터 시트
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Vishay Semiconductor Diodes Division
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: BY268TAP, BY269TAP, BY269TR, BY268TR
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BY268TAP 데이터 시트 페이지 3
BY268TAP 데이터 시트 페이지 4
BY268TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 400mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BY269TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

140°C (Max)

BY269TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 400mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BY268TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 400mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C