BYV37-TR 데이터 시트
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-57, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-57 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
