CY62256NLL-55ZRXET 데이터 시트
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) 공급자 장치 패키지 28-TSOP I |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOIC |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOIC |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOIC |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 MoBL® 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-DIP |