CY7C106D-10VXIT 데이터 시트
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (256K x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOJ |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (256K x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOJ |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (256K x 4) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 10ns 접근 시간 10ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) 공급자 장치 패키지 28-SOJ |
