CY7C1355C-133BGXC 데이터 시트
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 119-BGA 공급자 장치 패키지 119-PBGA (14x22) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7.5ns 전압-공급 3.135V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |