CY7C1474BV25-200BGIT 데이터 시트
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.4ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.4ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.4ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (1M x 72) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.4ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 209-BGA 공급자 장치 패키지 209-FBGA (14x22) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (15x17) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (15x17) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (15x17) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 NoBL™ 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3ns 전압-공급 2.375V ~ 2.625V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (15x17) |
