CYD36S36V18-200BGXC 데이터 시트
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.3ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 484-FBGA 공급자 장치 패키지 484-FBGA (23x23) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 36Mb (1M x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 4ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 484-FBGA 공급자 장치 패키지 484-FBGA (23x23) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.3ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 484-FBGA 공급자 장치 패키지 484-FBGA (23x23) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 36Mb (2M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 4ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 484-FBGA 공급자 장치 패키지 484-FBGA (23x23) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 9Mb (512K x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.3ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 256-LBGA 공급자 장치 패키지 256-FBGA (17x17) |
Cypress Semiconductor 제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Synchronous 메모리 크기 9Mb (256K x 36) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.3ns 전압-공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 256-LBGA 공급자 장치 패키지 256-FBGA (17x17) |