DB104G 데이터 시트
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Single Phase 기술 Standard 전압-피크 역방향 (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 공급자 장치 패키지 DB |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Single Phase 기술 Standard 전압-피크 역방향 (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 공급자 장치 패키지 DB |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Single Phase 기술 Standard 전압-피크 역방향 (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 50V 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 공급자 장치 패키지 DB |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Single Phase 기술 Standard 전압-피크 역방향 (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 4-EDIP (0.321", 8.15mm) 공급자 장치 패키지 DB |
