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DG2519EDQ-T1-GE3 데이터 시트

DG2519EDQ-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: DG2519EDQ-T1-GE3, DG2519EDN-T1-GE4
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DG2519EDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

스위치 회로

SPDT

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

2:1

회로 수

2

온 상태 저항 (최대)

4Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

500mOhm

전압-공급, 단일 (V +)

1.8V ~ 5.5V

전압-공급, 이중 (V ±)

-

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

40ns, 33ns

-3db 대역폭

217MHz

충전 주입

14pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

-

전류-누설 (IS (off)) (최대)

-

교차

-61dB @ 1MHz

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

패키지 / 케이스

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

10-MSOP

DG2519EDN-T1-GE4

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

스위치 회로

SPDT

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

2:1

회로 수

2

온 상태 저항 (최대)

4Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

500mOhm

전압-공급, 단일 (V +)

1.8V ~ 5.5V

전압-공급, 이중 (V ±)

-

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

40ns, 33ns

-3db 대역폭

217MHz

충전 주입

14pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

-

전류-누설 (IS (off)) (최대)

-

교차

-61dB @ 1MHz

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)