DRDNB26W-7 데이터 시트
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 220 Ohms 저항-이미 터베이스 (R2) 4.7 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased + Diode 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 1 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 18V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 500mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 150 @ 100mA, 1V 전력-최대 200mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대) 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V 전력-최대 200mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN + Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V 전력-최대 200mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |