DS1258W-100# 데이터 시트
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제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 100ns 접근 시간 100ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지 40-EDIP |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 150ns 접근 시간 150ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지 40-EDIP |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 100ns 접근 시간 100ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지 40-EDIP |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 100ns 접근 시간 100ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지 40-EDIP |
제조업체 Maxim Integrated 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 NVSRAM 기술 NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 150ns 접근 시간 150ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지 40-EDIP |
