DTC363EUT106 데이터 시트
DTC363EUT106 데이터 시트
총 페이지: 4
크기: 97.71 KB
Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
DTC363EUT106, DTC363EKT146
![DTC363EUT106 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/31/dtc363eut106-0001.webp)
![DTC363EUT106 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/31/dtc363eut106-0002.webp)
![DTC363EUT106 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/31/dtc363eut106-0003.webp)
![DTC363EUT106 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/31/dtc363eut106-0004.webp)
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 6.8 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 6.8 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 UMT3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 저항-베이스 (R1) 6.8 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 6.8 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 80mV @ 2.5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 200MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3 |