EPC2040 데이터 시트
|
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.93nC @ 5V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 105pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Die 패키지 / 케이스 Die |
