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FK4B01100L1 데이터 시트

FK4B01100L1 데이터 시트
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Panasonic Electronic Components
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FK4B01100L1

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 236µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

275pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

XLGA004-W-0808-RA01

패키지 / 케이스

4-XFLGA, CSP