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GB100XCP12-227 데이터 시트

GB100XCP12-227 데이터 시트
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GeneSiC Semiconductor
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GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8.55nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4

공급자 장치 패키지

SOT-227