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HN1B01FDW1T1 데이터 시트

HN1B01FDW1T1 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 63.54 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 3 부품 번호를 다룹니다.: HN1B01FDW1T1, SHN1B01FDW1T1G, HN1B01FDW1T1G
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HN1B01FDW1T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

380mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SC-74

SHN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

380mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SC-74

HN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

380mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SC-74