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IDT70P3537S250RM 데이터 시트

IDT70P3537S250RM 데이터 시트
총 페이지: 20
크기: 615.08 KB
IDT, Integrated Device Technology
웹 사이트: http://www.idt.com/
이 데이터 시트는 6 부품 번호를 다룹니다.: IDT70P3537S250RM, IDT70P3537S233RMI, IDT70P3537S233RM, IDT70P3517S250RM, IDT70P3517S233RMI, IDT70P3517S233RM
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IDT70P3537S250RM

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.3ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3537S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3537S233RM

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3517S250RM

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.3ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3517S233RMI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)

IDT70P3517S233RM

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

233MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.2ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

576-BBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

576-FCBGA (25x25)