IR1176STR 데이터 시트
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 20-SSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지 20-SSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 4V ~ 5.25V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 4A, 4A 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) 20ns, 20ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 20-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 20-DIP |
