IRF6706S2TRPBF 데이터 시트
|
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 63A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET S1 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric S1 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 63A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1810pF @ 13V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET S1 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric S1 |
