IRF6729MTRPBF 데이터 시트
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31A (Ta), 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6030pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MX |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31A (Ta), 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 63nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6030pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MX 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MX |
