IS42RM32100D-6BLI 데이터 시트
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-TFBGA (8x8) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 32Mb (1M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-TFBGA (8x8) |
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