IS43LD32160A-25BLI 데이터 시트
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 134-TFBGA 공급자 장치 패키지 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 134-TFBGA 공급자 장치 패키지 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 134-TFBGA 공급자 장치 패키지 134-TFBGA (10x11.5) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 - 전압-공급 1.14V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 134-TFBGA 공급자 장치 패키지 134-TFBGA (10x11.5) |