IS45S16320B-7TLA1-TR 데이터 시트
|
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-WBGA (11x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-WBGA (11x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (64M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-WBGA (11x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-WBGA (11x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.4ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TFBGA 공급자 장치 패키지 54-WBGA (11x13) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 5.5ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 54-TSOP II |
