IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR 데이터 시트
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 PSRAM 기술 PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 55ns 접근 시간 55ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFBGA 공급자 장치 패키지 48-TFBGA (6x8) |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 PSRAM 기술 PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFBGA 공급자 장치 패키지 48-TFBGA (6x8) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 PSRAM 기술 PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-TFBGA 공급자 장치 패키지 48-TFBGA (6x8) |
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