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ISL6700IRZ-T 데이터 시트

ISL6700IRZ-T 데이터 시트
총 페이지: 8
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Renesas Electronics America Inc.
이 데이터 시트는 8 부품 번호를 다룹니다.: ISL6700IRZ-T, ISL6700IRZ, ISL6700IR-T, ISL6700IB-T, ISL6700IR, ISL6700IB, ISL6700IBZ-T, ISL6700IBZ
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ISL6700IRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-QFN (4x4)

ISL6700IRZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-QFN (4x4)

ISL6700IR-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-QFN (4x4)

ISL6700IB-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6700IR

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-QFN (4x4)

ISL6700IB

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6700IBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6700IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.3A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

80V

상승 / 하강 시간 (일반)

5ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC