IXFK360N10T 데이터 시트
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제조업체 IXYS 시리즈 GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 33000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
제조업체 IXYS 시리즈 GigaMOS™ HiPerFET™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 525nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 33000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PLUS247™-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
