IXTH2N170D2 데이터 시트
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3650pF @ 10V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 568W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 (IXTH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3650pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 568W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-268 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
