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KBU6G 데이터 시트

KBU6G 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 418.19 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: KBU6G, KBU6A, KBU6B, KBU6D
KBU6G 데이터 시트 페이지 1
KBU6G 데이터 시트 페이지 2
KBU6G 데이터 시트 페이지 3
KBU6G

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

KBU6A

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

KBU6B

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU

KBU6D

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 6A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBU

공급자 장치 패키지

KBU