KSD363OTU 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 40 @ 1A, 5V 전력-최대 40W 주파수-전환 10MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
