MB85RS1MTPH-G-JNE1 데이터 시트
Fujitsu Electronics 제조업체 Fujitsu Electronics America, Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FRAM 기술 FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-DIP |
Fujitsu Electronics 제조업체 Fujitsu Electronics America, Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FRAM 기술 FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-XFBGA, WLCSP 공급자 장치 패키지 8-WLP (2.28x3.09) |
Fujitsu Electronics 제조업체 Fujitsu Electronics America, Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FRAM 기술 FRAM (Ferroelectric RAM) 메모리 크기 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 40MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |