MBR60035CTR 데이터 시트
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 35V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 구성 1 Pair Common Anode 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당) 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 300A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Twin Tower 공급자 장치 패키지 Twin Tower |
