Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

MBRH12035R 데이터 시트

MBRH12035R 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 645.69 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 8 부품 번호를 다룹니다.: MBRH12035R, MBRH12035, MBRH12030R, MBRH12030, MBRH12020R, MBRH12020, MBRH12040, MBRH12040R
MBRH12035R 데이터 시트 페이지 1
MBRH12035R 데이터 시트 페이지 2
MBRH12035R 데이터 시트 페이지 3
MBRH12035R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12035

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12030R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12030

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12020R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12020

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

MBRH12040

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

MBRH12040R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

120A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 120A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67 HALF-PAK

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C