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MBRT300200R 데이터 시트

MBRT300200R 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 792.09 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 4 부품 번호를 다룹니다.: MBRT300200R, MBRT300200, MBRT300150R, MBRT300150
MBRT300200R 데이터 시트 페이지 1
MBRT300200R 데이터 시트 페이지 2
MBRT300200R 데이터 시트 페이지 3
MBRT300200R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT300200

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT300150R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT300150

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 150V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower