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MBRT60080R 데이터 시트

MBRT60080R 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 685 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 8 부품 번호를 다룹니다.: MBRT60080R, MBRT60060R, MBRT60045R, MBRT600100R, MBRT60080, MBRT60060, MBRT60045, MBRT600100
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MBRT60080R 데이터 시트 페이지 2
MBRT60080R 데이터 시트 페이지 3
MBRT60080R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT60060R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT60045R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT600100R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT60080

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT60060

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT60045

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower

MBRT600100

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

600A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 20V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Three Tower

공급자 장치 패키지

Three Tower