MICROFJ-60035-TSV-TR 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 250ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 7.5µA 활성 영역 36.85mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 36-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 110ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 3µA 활성 영역 15.45mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 14-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 110ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 1.9µA 활성 영역 9.43mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 160ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 100nA 활성 영역 9.43mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 110ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 3µA 활성 영역 15.45mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 14-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 160ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 450nA 활성 영역 9.43mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 110ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 1.9µA 활성 영역 9.43mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WBGA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 J 파장 420nm 색상-강화 - 분광 범위 200nm ~ 900nm 다이오드 유형 Avalanche nm에서의 반응 - 응답 시간 250ps 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 24.7V 전류-어둡게 (일반) 7.5µA 활성 영역 36.85mm² 시야각 - 작동 온도 -40°C ~ 85°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 36-WBGA |
