MMBV109LT3G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지 TO-92 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 커패시턴스 @ Vr, F 32pF @ 3V, 1MHz 커패시턴스 비율 6.5 커패시턴스 비율 조건 C3/C25 전압-피크 역방향 (최대) 30V 다이오드 유형 Single Q @ Vr, F 200 @ 3V, 50MHz 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) |
