MPSW06RLRAG 데이터 시트
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 400mV @ 10mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 250mA, 1V 전력-최대 1W 주파수-전환 50MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
