MT41K256M16TW-107 AUT:P 데이터 시트
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (8x10.5) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (256M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 96-TFBGA 공급자 장치 패키지 96-FBGA (8x14) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (8x10.5) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (8x10.5) |
Micron Technology Inc. 제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - DDR3L 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 20ns 전압-공급 1.283V ~ 1.45V 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 78-TFBGA 공급자 장치 패키지 78-FBGA (8x10.5) |