MT48LC8M32LFF5-8 TR 데이터 시트
|
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-VFBGA 공급자 장치 패키지 90-VFBGA (8x13) |
