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MUR10020CTR 데이터 시트

MUR10020CTR 데이터 시트
총 페이지: 3
크기: 687.65 KB
GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 6 부품 번호를 다룹니다.: MUR10020CTR, MUR10020CT, MUR10010CTR, MUR10010CT, MUR10005CTR, MUR10005CT
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MUR10020CTR 데이터 시트 페이지 3
MUR10020CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR10020CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR10010CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR10010CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR10005CTR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

MUR10005CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower