N04L63W1AB27I 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-LFBGA 공급자 장치 패키지 48-BGA (6x8) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 48-LFBGA 공급자 장치 패키지 48-BGA (6x8) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 70ns 접근 시간 70ns 전압-공급 2.3V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
