NIF9N05CLT1G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 59V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.69W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 59V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.69W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 52V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.69W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 52V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.69W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
