NTA4151PT1 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 760mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 156pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 301mW (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-75, SOT-416 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 760mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 156pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 301mW (Tj) 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-75, SOT-416 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 760mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 156pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 313mW (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-89-3 패키지 / 케이스 SC-89, SOT-490 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 760mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 156pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 301mW (Tj) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-75, SOT-416 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 |
