NTMFS4854NST3G 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SENSEFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.2A (Ta), 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.2V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 11.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4830pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SO-8FL 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SENSEFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.2A (Ta), 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.2V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 11.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4830pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SO-8FL 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
