NVTFS6H888NWFTAG 데이터 시트
NVTFS6H888NWFTAG 데이터 시트
총 페이지: 6
크기: 138.27 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
NVTFS6H888NWFTAG, NVTFS6H888NTAG
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A (Ta), 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.7nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.9W (Ta), 18W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
