NVTFWS005N04CTAG 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
