PDTC144ES 데이터 시트
|
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3; MPAK |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3; MPAK |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 10 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 - 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3; MPAK |
